單結晶體管(簡稱UJT)又稱基極二極管,它是一種只有一個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件,它的基片為條狀的高阻N型硅片,兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區作為發射極e。其結構、符號和等效電呼如圖1所示。


圖1、單結晶體管

一、單結晶體管的特性
從圖1可以看出,兩基極b1與b2之間的電阻稱為基極電阻:
rbb=rb1+rb2
式中:rb1----第一基極與發射結之間的電阻,其數值隨發射極電流ie而變化,rb2為第二基極與發射結之間的電阻,其數值與ie無關;發射結是PN結,與二極管等效。
若在兩面三刀基極b2、b1間加上正電壓Vbb,則A點電壓為:
VA=[rb1/(rb1+rb2)]vbb=(rb1/rbb)vbb=ηVbb
式中:η----稱為分壓比,其值一般在0.3---0.85之間,如果發射極電壓VE由零逐漸增加,就可測得單結晶體管的伏安特性,見圖2

圖2、單結晶體管的伏安特性

(1)當Ve<η Vbb時,發射結處于反向偏置,管子截止,發射極只有很小的漏電流Iceo。
(2)當Ve≥η Vbb+VD VD為二極管正向壓降(約為0.7伏),PN結正向導通,Ie顯著增加,rb1阻值迅速減小,Ve相應下降,這種電壓隨電流增加反而下降的特性,稱為負阻特性。管子由截止區進入負阻區的臨界P稱為峰點,與其對就的發射極電壓和電流,分別稱為峰點電壓Vp和峰點電流Ip和峰點電流Ip。Ip是正向漏電流,它是使單結晶體管導通所需的最小電流,顯然Vp=ηVbb
(3)隨著發射極電流ie不斷上升,Ve不斷下降,降到V點后,Ve不在降了,這點V稱為谷點,與其對應的發射極電壓和電流,稱為谷點電壓,Vv和谷點電流Iv。
(4)過了V點后,發射極與第一基極間半導體內的載流子達到了飽和狀態,所以uc繼續增加時,ie便緩慢地上升,顯然Vv是維持單結晶體管導通的最小發射極電壓,如果Ve
二、單結晶體管的主要參數
(1)基極間電阻Rbb 發射極開路時,基極b1、b2之間的電阻,一般為2--10千歐,其數值隨溫度上升而增大。
(2)分壓比η 由管子內部結構決定的常數,一般為0.3--0.85。
(3)eb1間反向電壓Vcb1 b2開路,在額定反向電壓Vcb2下,基極b1與發射極e之間的反向耐壓。
(4)反向電流Ieo b1開路,在額定反向電壓Vcb2下,eb2間的反向電流。
(5)發射極飽和壓降Veo 在最大發射極額定電流時,eb1間的壓降。
(6)峰點電流Ip 單結晶體管剛開始導通時,發射極電壓為峰點電壓時的發射極電流