| 雙穩態電路詳細講解 文章長度[ 13118] 加入時間[ 2006/7/1] 更新時間[ 2025/3/18 7:30:27] 級別[ 3] [ 評論] [ 收藏]
一、工作原理 |
圖一為雙穩態電路,它是由兩級反相器組成的正反饋電路,有兩個穩定狀態,或者是BG1導通、BG2截止;或者是BG1截止、BG2導通,由于它具有記憶功能,所以廣泛地用于計數電路、分頻電路和控制電路中, 原理,圖2(a)中,設觸發器的初始狀態為BG1導通,BG2截止,當觸發脈沖方波從1端輸入,經CpRp微分后,在A點產生正、負方向的尖脈沖,而只有正尖脈沖能通過二極管D1作用于導通管BG1的基極是。ic1減小使BG1退出飽和并進入放大狀態,于是它的集電極電位降低,經電阻分壓器送到截止管BG2的基極,使BG2的基極電位下降,如果下降幅度足夠時,BG2將由截止進入放大狀態,因而產生下列正反饋過程(看下列反饋過程時,應注意:在圖一的PNP電路中,晶體管的基極和集電極電位均為負值,所以uc1↓,表示BG1集電極電位降低,而uc1↑則表示BG1集電極電位升高,當BG1基極電位降低時,則ic1↑,反之當BG1基極電位升高時,ic1↓ |
ic1越來越小,ic2越來越大,最后到達BG1截止、BG2導通;接差觸發脈沖方波從2端輸入,并在t=t2時,有正尖脈沖作用于導通管BG2的基極,又經過正反饋過程,使BG1導通,BG2截止。以后,在1、2端的觸發脈沖的輪流作用下,雙穩電路的狀態也作用相應的翻轉,如圖一(b)所示。 |
圖一、雙穩態電路 |
由上述過程可見:(1)雙穩態電路的尖頂觸發脈沖極性由晶體管的管型決定:PNP管要求正極性脈沖觸發,而NPN管卻要求負極性脈沖觸發。(2)每觸發一次,電路翻轉一次,因此,從翻轉次數的多少,就可以計算輸入脈沖的個數,這就是雙穩態電路能夠計算的原理。 雙穩態電路的觸發電路形式有:單邊觸發、基極觸發、集電極觸發和控制觸發等。 圖二給出幾種實用的雙穩態電路。電路(a)中D3、D4為限幅二極管,使輸出幅度限制在-6伏左右;電路(b)中的D5、D6是削去負尖脈沖;電路(C)中的ui1、ui2為單觸發,ui為輸入觸發表一是上述電路的技術指標。 |
圖二、幾種實用的雙穩態電路 |
表一 |
幾種雙穩態觸發器的技術指標 |
圖二 |
(a) |
(b) |
(c) |
(d) |
管型 |
二極管 |
2AP3 |
2AP15 |
2AK1C |
2AK17 |
三極管 |
3AX31B |
3AG40 |
3AK20 |
3DK3B |
信號電平 |
“0”(無信號)(V) |
0 |
0 |
0 |
+6 |
“1”(有信號)(V) |
-6 |
-6 |
-9 |
0 |
工作頻率(KHz) |
10 |
600 |
1000 |
8000 |
抗干擾電壓(V) |
≥1 |
≥1.5 |
≥2 |
0.8-1 |
觸發靈敏度(V) |
≤4 |
≤4.8 |
≤7 |
2.5 |
輸出端的吸收能力(mA) |
≤4 |
≤6.7 |
≤2 |
10 |
輸出端的發射能力(mA) |
≤44 |
≤12 |
≤12 |
7 |
輸出脈沖的上升時間(μs) |
2 |
≤0.30 |
≤0.1 |
≤0.1 |
輸出脈沖的下降時間(μs) |
2 |
≤0.36 |
≤0.15 |
≤0.1 |
對β值的要求 |
>50 |
50-80 |
60-90 |
>50 |
元件參數的允許化 |
△β<10,±5% |
△β<10,±5% |
△β<10,±5% |
△β<10,±5% |
電源電壓的波動范圍 |
±5% |
±5% |
±5% |
±5% |
工作溫度范圍(℃) |
0-40 |
-10-55 |
-20-50 |
-10-55 | |
圖三、雙穩態的設計電路 |
表二 |
雙穩態電路的設計公式及計算實例 |
要求 |
(1)輸出幅度Um=6V,(2)上升時間,tr≤100nS (3)最高工作頻率fmax=1MHz |
步驟 |
計算公式 |
計算實例 |
選擇晶體管 |
若工作頻率高時,應選用高速硅開關管 若工作頻率低可選用低頻硅或鍺管 |
現選3DK,β=50 二極管選用2CK10 |
選擇電源電壓 |
圖3為設計電路,故應確定ED、EC、EB |
∵采用箝位電路,故選ED≈Um ∴ED=6V,Ec=2ED=12v,Eb=-12 |
計算Rc |
RcCL為集電極對地的電容(包括加速電容、分布電容、后級輸入電容) |
現設CL=180pF Rc<12/6 100×10 /180×10 =1.1kΩ |
計算Rk、RB |
為保證可靠截止,應滿足: Uces-[(EB+Uces)/(RK+RB)]RK為保證可靠飽和,應滿足: β{[(Uco-Ubes)/RK]-[(EB+Ubes)/RB]}>[(Ec-Uces)/Rc]+IL 式中:Uces為飽和電壓,對硅管Uces≈(0.3~0.4)V Ubeo為截止管臨界電壓,Ubeo≈0.2V Uco為截止管的集電極電壓,應取:Uco=ED+(箝位管正向壓降)IL為雙穩電路灌入負截電流 |
現選Uces=0.4V,Ubeo=0.2V 0.4-[(12+0.4)/(Rk+RB)]Rk<0.2 ∴RB<61RK (A) 現設IL=100mA,Ueo=6+0.4=6.4V 50[(6.4-0.7)/RK]-[(12+0.7)/RB]>[(12-0.4)/1]+10 ∴RB>12.7RK/(5.7-0.43RK (B) 若選RK=6.8k由(A)算得RB<415K,由(B)式算得RB>31K,故選RB=39K |
選擇CrRr |
RrCr≤1/2fmax,通常Cr為幾十pF |
現選Cr=51pF ∴Rr≤1/6×10 51×10 =3.2k 故選Rr=2.4k |
選擇加速電容CK |
對合金管CK為幾百pF對高頻外延管CK為幾十pF |
現選Ck=51pF 計算結果標在圖三中 | 1、 本站不保證以上觀點正確,就算是本站原創作品,本站也不保證內容正確。 2、如果您擁有本文版權,并且不想在本站轉載,請書面通知本站立即刪除并且向您公開道歉! |