24AA04/08　串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;動作電流1mA;容量4K/8K;分為2個/4個存儲區,每區256字節;2線式串行總線接口,同I2C總線兼容;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間2ms;具有硬件寫入保護、噪聲抵制和輸出壓降控制功能;可用作串口ROM;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24AA16 串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;容量16K;動作電流1mA;分為8個存儲區,每區256字節;2線式串行總線接口,同I2C總線兼容;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間2ms;具有硬件寫入保護、噪聲抵制和輸出壓降控制功能;可用作串口ROM;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24AA164 串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;容量16K;動作電流備用是電流分別為10μA(5.5V時)和5μA(3.0V時);分為8個存儲區,每區256字節;2線式串行總線接口,同I2C總線兼容、8個芯片可串接,具有噪聲抵制和輸出壓降控制功能;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間2ms;有硬件保護和工廠編程功能;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24AA32 串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~6.0V;容量32K;峰值寫入電流3mA;最大讀出電流150μA;備用時電流為1mA,標準兩線總線協議,同I2C總線兼容;總線可掛接此類芯片8個,總容量達256K;擦/寫次數大于106;可使用每頁8個字節或單字節兩種方式;噪聲抵制;輸出壓降控制功能;寫入時間2ms;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V;可隨機讀出,也可順序讀出。
24AA32 A 串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~6.0V;最大寫入電流3mA;工作電壓1.8V時備用時電流1μA;容量32K;標準兩線串行接口,同I2C總線兼容;總線可掛接此類芯片8個,總容量達256K;加電、斷電時數據保護;硬件寫入保護;擦/寫次數大于106;可使用每頁32個字節或單字節兩種方式;有噪聲抵制和輸出壓降控制功能;寫入周期時間2ms;靜電放電保護超過4000V;數據保存時間大于200年;可隨機讀出,也可順序讀出。
24AA65　　串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~6.0V;寫入電流峰值為3mA;最大讀出電流150μA;備用時電流1μA;標準二線式總線協議,同I2C總線兼容;可使用每頁8個字節或單字節兩種方式;總線可接8個器件,總容量達512K;加電、斷電時數據保護;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;單片容量為64K;ESD保護超過4000V。
24C32　　串口EEPROM
工作電壓范圍4.5~5.5V;峰值寫入電流為3mA;最大讀出電流150μA;備用時電流1μA;容量32K;標準二線式總線協議,同I2C總線兼容;加電、斷電時數據保護;每頁8個字節或單字節兩種方式;64字節的高速緩存;擦/寫次數大于106;寫入周期時間2ms;總線可接8個器件;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V;可隨機讀出,也可順序讀出。有噪聲抵制和輸出壓降控制功能。
24C65　　串口EEPROM
工作電壓范圍4.5~5.5V;最大寫入電流為3mA;最大讀出電流150μA;備用時電流1μA;標準二線式總線協議,同I2C總線兼容;加電、斷電時數據保護;每頁8個字節或單字節兩種方式;寫入周期時間一般為2ms;輸入高速緩存64字節;一條總線可接8個器件;總容量達512K;加電、斷電時數據保護;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;容量為64K,I2C接口。
24FC16　串口EEPROM
工作電壓范圍4.5~5.5V;最大寫入電流為3mA;讀出電流一般為200μA;容量16K;分為8個存儲區,每區256字節;每頁寫入緩沖區16字節;寫入周期時間一般為2ms;二線式串行總線接口,同I2C總線兼容;有硬件寫入保護和噪聲抵制功能;可用作串口ROM;備用時電流分別為10μA(5.5V時)和5μA(3.0V時);擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V;
24FC32　串口EEPROM
工作電壓范圍4.5~5.5V;容量32K;標準二線總線協議;同I2C總線兼容;最大寫入電流為3mA;讀出電流為150μA;備用時電流1μA;1MHz的SE2總線二線式協議;加電、斷電時數據保護;以4K為單位的擦/寫次數大于106;可使用每頁8個字節或單字節模式;輸入高速緩存為64K字節;寫入時間一般為2ms;總線可連接8個器件,總容量為256K;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
24FC65　串口EEPROM
工作電壓范圍4.5~5.5V;最大寫入電流為3mA;讀出電流一般為150μA;備用時電流1μA;I2C總線串行接口;容量64K;1MHz的SE2總線兩線協議;總線可接8個器件,總容量可達512K;加電、斷電時數據保護;每頁字節數可變,最多可達64字節;線路輸入高速緩存為8byet×8;寫入時間小于3ms;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
24LC04B/08B　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;動作電流1mA;容量4K/8K;分為2個/4個存儲區,每區256字節;2線式串行接口,同I2C總線兼容;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間為2ms;有硬件寫入保護、噪聲抵制和輸出壓降控制功能;可用作串口ROM、可工廠編程;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24LC164　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;容量16K;動作電流1mA;備用時電流分別為10μA(5.5V時)和5μA(3.0V時);分8個存儲區;每個區256字節;2線式串行接口,同I2C總線兼容;8個芯片可串接;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間為2ms;有硬件寫入保護和輸出壓降控制功能;可工廠編程;可抵制噪聲和用作串口ROM; 擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24LC16B　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;容量16K;動作電流1mA;分8個存儲區;每個區256字節;2線式串行接口,同I2C總線兼容;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間為2ms;有硬件寫入保護和輸出壓降控制功能;可用作串口ROM; 可工廠編程;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24LC174　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;容量16K;16個字節的安全的OTP存儲區;動作電流1mA;備用時電流分別為10μA(5.5V時)和5μA(3.0V時);分8個存儲區;每個區256字節;2線式串行接口,同I2C總線兼容;8個芯片可串接;具有噪聲抵制和輸出壓降控制功能;頁面寫入緩沖區達16字節;寫入時間為2ms;有寫入硬件保護和一次編程功能;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V。
24LC32　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~6.0V;容量32K;峰值寫入電流為3mA;最大讀出電流150μA;備用時電流1μA;標準兩線總線協議,同I2C總線兼容;加電、斷電時數據保護功能;擦/寫次數大于106;可使用每頁8個字節或單字節模式兩種方式;噪聲抵制;輸出壓降控制;寫入時間為2ms;可掛接8個此種芯片;總容量達256K;數據保存時間大于200年;靜電放電保護超過4000V�？呻S機讀出,也可順序讀出。
24LC32A　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~6.0V;最大寫入電流為3mA;工作電壓為2.5V時,備用時電流1μA;標準兩線總線協議,同I2C總線兼容;總線可掛接8個類似器件;總容量達256K;單個芯片容量為32K;加電、斷電時數據保護功能;具有噪聲抵制和輸出壓降控制功能;寫入時間為2ms;硬件保護功能;擦/寫次數大于106;可使用每頁32個字節或單字節模式兩種寫入方式;靜電放電保護超過4000V。數據保存時間大于200年;可隨機讀出,也可順序讀出。
24LC65　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~6.0V;容量64K;峰值寫入電流為3mA;最大讀出電流150μA;備用時電流1μA;標準兩線總線協議,同I2C總線兼容;可使用每頁32個字節或單字節模式;寫入時間為2ms;總線可掛接8個類似器件;總容量達512K;加電、斷電時數據保護功能;擦/寫次數大于106;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25AA040　串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;SP1總線接口;容量4K;時鐘頻率3.0MHz;最大寫入電流為5mA;讀出電流在3.0MHz、5V時為500μA;備用時電流1μA;結構形式512×8;每頁16個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于10×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25AA080/160　串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;SP1總線接口;容量分別為8K/16K;最大寫入電流為5mA;讀出電流為1mA;備用時電流1μA;結構形式分別為1024×8/2048×8;每頁16個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于10×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25AA320　串口EEPROM
工作電壓范圍+1.8~5.5V;容量32K;時鐘頻率3.0MHz;SP1總線接口;最大寫入電流為5mA;最大讀出電流為1mA;備用時電流1μA; 25C040　串口EEPROM
工作電壓范圍5.0V;SP1總線接口;容量4K;最大寫入電流為5mA;最大讀出電流為1mA;備用時電流1μA;結構形式為512×8;每頁16個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于1×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25C080/160　串口EEPROM
工作電壓范圍5.0V;SP1總線接口;容量
25C320　串口EEPROM
工作電壓范圍4.5~5.5V;容量32K;時鐘頻率3.0MHz;SP1總線接口;最大寫入電流為5mA;讀出電流為1mA;備用時電流1μA;結構形式為4096×8;每頁32個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于1×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25C040　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;SP1總線接口;容量4K;時鐘頻率3.0MHz;SP1總線接口;最大寫入電流為5mA;讀出電流為1mA;備用時電流1μA;結構形式為512×8;每頁16個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于1×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25C080/160　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;SP1總線接口;容量分別為8K/ 16K;時鐘頻率3.0MHz;最大寫入電流為5mA;讀出電流為1mA;備用時電流1μA;結構形式分別為1024×8/2048×8;每頁16個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于1×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V。
25C320　串口EEPROM
工作電壓范圍2.5~5.5V;SP1總線接口;時鐘頻率3.0MHz;可進行編程操作的單電源電壓可降至2.5V;最大寫入電流為5mA;讀出電流為1mA;備用時電流1μA;結構形式為512×8;每頁32個字節;順序讀取;寫入保護;加電、斷電時數據保護功能;寫入允許信號鎖存;擦/寫次數大于1×106次;數據保存時間大于200年;ESD保護超過4000V, 容量32K。
27011　8×16K×8位PAGED　EPROM
可頁面尋址紫外線擦除電可編程只讀存貯器,由8個具有獨立地址空間的16K字節EPROM陣列構成(每個陣列為一頁)。最大工作電流150mA,維持電流50mA;讀出時間最大250ns;單+5V電源;引腳/PGM//WE為編程脈沖/頁面選擇寫使能端;27011的讀、維持工作方式與一般的EPROM完全相同;當/CE和/WE端為低電平時,芯片處于頁面選擇(寫)工作方式。
頁面選擇數據表
27128、27C128 16K×8位PAGED　EPROM
27128為NMOS產品;所有輸入輸出與TTL兼容;三態輸出;除26腳外,與2764引腳兼容;工作電流最大100mA,維持電流40mA,讀出時間最大250ns;VCC=+5V。27C128為CMOS產品,功耗比NMOS小得多。
功能表
2716、27C16　 2K×8位EPROM
2716為NMOS產品;輸入輸出全部與TTL兼容;三態輸出;數據可采用紫外線擦除;與TMS2716電源不同;單+5V電源;VDD=VPP=+5V;當/OE和/CE/PMG同時為“L”時,讀輸出選擇有效。27C16為CMOS產品,功耗比NMOS小得多。
27256、27C256 32K×8位EPROM
27256為NMOS產品;所有輸入輸出與TTL兼容;三態輸出;除27腳外,與27128引腳兼容;工作電流100mA,維持電流40mA,讀出時間最大250ns;VDD=+5V。27C256為CMOS產品,功耗比NMOS小得多。
功能表
27512、27C512 64K×8位EPROM
27512為NMOS產品;輸入輸出全部與TTL兼容;三態輸出;除1腳外,與27256引腳兼容;工作電流125mA,維持電流40mA,讀出時間最大250ns;VDD=+5V。27C512為CMOS產品,功耗比NMOS小得多。
功能表
27513 4×16K×8位EPROM
可頁面尋址紫外線擦除電可編程只讀存貯器,由4個具有獨立地址空間的16K字節EPROM陣列構成(每個陣列為一頁)。最大工作電流125mA,維持電流40mA;讀出時間最大250ns;單+5V電源;引腳/RST為頁面選擇邏輯復位端;/WE為頁面選擇寫使能端。27513的讀、維持工作方式與一般的EPROM完全相同;當/CE和/WE為低電平時,芯片處于頁面選擇(寫)工作方式。
頁面選擇數據表
2764　8K×8位EPROM
2764為NMOS產品;三態輸出;輸入輸出全部與TTL兼容;與2732型的引腳兼容;有維持工作方式;有/OE和/CS兩個控制端;VDD=+5V;當/CS的/OE同時為“L”時,讀輸出選擇有效。
27C128　CMOS EEPROM
工作電壓5.0V;存取時間120ns;容量128K;動作電流20mA;備用時電源電流為100μA;自動ID輔助自動編程;分離的芯片允許和輸出允許控制。
27C256　CMOS EEPROM
工作電壓+5.0V;存取時間90ns;容量256K;動作電流20mA;備用時電源電流為100μA;自動ID輔助自動編程;數據保存時間大于200年。
27C512A　CMOS EEPROM
工作電壓5.0V;存取時間25ns;容量512K;備用時電源電流為30μA;自動ID輔助自動編程;數據保存時間大于200年。
27C64
工作電壓+5.0V;存取時間120ns;容量64K;動作電流20mA;備用時電源電流為100μA;自動ID輔助自動編程;單獨的芯片允許和輸出允許控制。
27LV256　　CMOS EEPROM
工作電壓3.0~5.5V;電源電壓3.0V時的訪問時間為200ns;3.0V時的動作電流為8mA;5.5V時的動作電流為20mA;備用時電源電流為100μA;自動ID輔助自動編程;數據保存時間大于200年;容量為256K。
27LV64　　CMOS EEPROM
工作電壓3.0~5.5V;容量為64K;電源電壓3.0V時的訪問時間為200ns;3.0V時的動作電流為8mA;5.0V時的動作電流為20mA;備用時電源電流為100μA;自動ID輔助自動編程;分離的芯片允許和輸出允許控制。
2816 2K×8位并行EEPROM
電擦除可編程只讀存貯器。HMOS工藝,工作電流110mA;靜止等待電流50mA;存取時間,2816最大為250ns,2816-3為350ns,2816-4為450ns;10ns字節擦/寫時間,10ms擦片時間;寫與擦除由單個21V的脈沖來進行;VCC=+5V;能擦/寫1萬次。
功能表
2817A　 2K×8位并行EEPROM
電擦除可編程只讀存貯器。最大工作電流160mA,維持電流60mA;典型讀出時間250ns;維持和讀出方式與普通的EEPROM或SRAM相同字節寫入方式與2817A相同;可進行頁面寫入芯片內部沒有16字節的“頁緩沖器”,整個存貯器陣列分為512頁,每頁16字節,頁的區分由A4~A12確定,A0~A3選擇每頁的16個地址單元之一;最大存貯時間10ms;數據查詢方式可用軟件檢測寫操作中的“頁存貯”周期是否完成;VCC=+5V。
功能表
28C04A CMOS EEPROM
工作電壓+5.0V;讀取時間150ns;容量4K;動作電流30mA;備用時電流100μA;字節寫入時間1ms;數據保存時間大于200年;擦/寫次數大于10^4次;“寫”操作時有內部控制計時器;“寫”操作前可自動擦除;片上有地址和數據鎖存器;有數據保護功能。
28C16A CMOS EEPROM
工作電壓+5.0V;讀取時間150ns;容量16K;動作電流30mA;備用時電流100μA;字節寫入時間1ms;數據保存時間大于200年;擦/寫次數大于10^4次;“寫”操作時有內部控制計時器;“寫”操作前可自動擦除;片上有地址和數據鎖存器;有數據保護功能。
28C17A CMOS EEPROM
工作電壓+5.0V;讀取時間150ns;容量16K;動作電流30mA;備用時電流100μA;字節寫入時間1ms;數據保存時間大于200年;擦/寫次數大于10^4次;“寫”操作時有內部控制計時器;“寫”操作前可自動擦除;片上有地址和數據鎖存器;有數據查詢信號和“讀”準備好/“忙”兩種狀態;有數據保護功能。
28C64A　CMOS EEPROM
工作電壓+5.0V;讀取時間150ns;容量64K;動作電流30mA;備用時電流100μA;字節寫入時間1ms;數據保存時間大于200年;擦/寫次數大于10^4次;“寫”操作時有內部控制計時器;“寫”操作前可自動擦除;片上有地址和數據鎖存器;有數據查詢信號和“讀”準備好/“忙”兩種狀態;有數據保護功能。
28F256 32K×8位閃速(Flash)存貯器
可讀寫、非易失存貯器;芯片整體電擦除時間約1s;每個字節的編程時間約100μs,整個芯片編程為4s,對于28 F256A,整片編程時間為0.5s;最少1萬個擦除/編程周期,通�？蛇_10萬個周期;采用12V±5％的編程電壓;最大讀取時間不超過135ns;最大工作電流30mA,備用狀態最大電流100μA;與微處理器或微控制器接口兼容;VCC=12V±5％; 有DIP、PLCC和扁平小型引出線封裝形式TSOP,TSOP封裝有標準引腳和逆向引腳兩種結構。
28F256(TSOP封裝)標準引腳功能表
28F512　64K×8位閃速存貯器
可讀寫、非易失存貯器;芯片整體電擦除時間約1s;每個字節的編程時間約100μs,整個芯片編程為1s,最少1萬個擦除/編程周期,通�？蛇_10萬個周期;采用12 V±5％的編程電壓;最大讀取時間不超過135ns;最大工作電流30mA,備用狀態最大電流100μA;與微處理器或微控制器接口兼容;VCC=5V±10％; 有DIP、PLCC和TSOP三種封裝形式,與28F256的引腳圖相比較,對于DIP和PLCC封裝的第3腳,TSOP封裝的第11腳,28F512應為A15。
28LV64V　CMOS EEPROM
工作電壓范圍2.7~3.6V;讀取時間300ns;動作電流8mA;備用時電流50μA;字節寫入時間3ms;數據保存時間大于200年;容量64K;寫操作時有內部控制計時器;寫操作前可自動擦除;片上有地址和數據鎖存器;數據查詢信號;有“讀”準備好/“忙”兩種狀態;數據保護功能。
37LV36/65/128串口EPROM
工作電壓范圍3.0~6.0V;電源電壓為5V時最大讀出電流為10mA;備用時電流為100μA;標準同步串行接口;5V最大時鐘頻率為10MHz;硬件復位優先級可編程;容量分別為36K、65K和128K;靜電放電保護大于4000V;全靜態運行;順序讀/程序讀;同XiLinx公司的XC1700系列兼容;數據保存時間大于200年。
58064　8K×8位EEPROM
可整片擦除和單字節擦除,整片擦除20ms;擦/寫次數10^4次單電源,在進行擦/寫和讀操作時,最大電流100mA,維持狀態最大電流40mA;在字節擦/寫和片擦操作時,/WE脈沖寬度分別為10ms和20ms,應用中需考慮其允許寫入脈沖信號的寬度。
功能表
68C257　32K×8位EEPROM
將地址鎖存器集成到片內,功能與2片74HCT573、1片27 C257及2/674HCT04相當。68C257是專為非標準微控制總線而設計出來的,通常與68XX系列的微控制器配合使用。
87C257　32K×8位EPROM
片內集成了2片74HCT573地址鎖存器,引腳與27 C257兼容。ALE/VPP引腳在讀操作時,用作鎖存器選通;在EPROM編程期間,用作高壓輸入,當ALE為高電平時,出現在A0~A14引腳上的地址有鎖存器鎖存并送至譯碼器,若此時/CE為TTL高電平,87 C257則工作在維持方式,此刻地址仍然被鎖存;當ALE變為低電平后,地址鎖存器保存當前地址引腳上出現的狀態。
93AA46/56/66　串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;標準三線串行接口;1.8V時讀電流70μA;備用時電流2μA(1.8V);容量分別為1K/2K/4K;結構形式分別為128×8或64×16/256×8或128×16/512×8/256×16,可用ORG選取選取;寫入前自動擦除;加電、斷電時數據保護;順序讀取;擦/寫次數分別大于10＾6(93LC56/66)和10＾5(LC46)數據保存時間大于200年。
93AA76/86　串口EEPROM
工作電壓范圍1.8~5.5V;標準三線串行接口;容量分別為8K/16K;動作電流1mA;備用時電流5μA(3.0V時);結構形式分別為1024×8/512×16(93AA76)、2048×8/1024×16, 
93C76/86　串口EEPROM
　工作電壓5.0V;Microwire總線3線接口;容量分別為8K/16K;動作電流1mA;結構形式可通過ORG引腳選擇;1024×8或512×16(93C76)、2048×8或1024×16(93C86)寫入前自動擦除;加電、斷電時數據保護;順序讀取;擦/寫次數大于10＾6;數據保存時間大于200年。
93LC46B/56B/66B　串口EEPROM
　工作電壓2.0~5.0V;標準三線串行接口;容量分別為8K/4K;動作電流1mA;備用時電流5μA(3.0V時);存儲器結構形式分別為1024×8/512×16(93LC76)、2048×8/1024×16(93LC86),可用ORG引腳選取;寫入前自動擦除;加電、斷電時數據保護;順序讀取;擦/寫次數大于10＾6;數據保存時間大于200年。
93LCS56/66　串口EEPROM
　工作電壓2.5~5.5V;標準三線串行接口;容量分別為2K/4K;動作電流1mA;備用時電流5μA(3.0V時);結構形式分別為128×16和256×16;用戶自定義存儲器空間的軟件寫入保護;寫入前自動擦除;加電、斷電時數據保護;順序讀取;擦/寫次數大于10＾6;數據保存時間大于200年。
AM27C020 256×8位CMOS　EPROM
256×8位EPROM;數據三態輸出;VPP=12.5V,VDD=5V。
AM27C040 512×8位CMOS　EPROM
512×8位EPROM;數據三態輸出;VPP=12.5V,VDD=5V。
AM27C040 1M×8位CMOS　EPROM
1M×8位EPROM;數據三態輸出;VPP=12.5V,VDD=5V。
AM27C160 2M×8位CMOS　EPROM
2M×8位EPROM;數據三態輸出;VPP=12.5V,VDD=5V。42腳CDIP封裝。
AM27C160功能表
DS1225AB/AD　8k×8位CMOS非易失性靜態RAM
有一個用于自動保護其內容的鋰電池,以及一個斷地監視VCC是否超出容限的控制電路;VCC不接時仍能保護數據;掉電時數據能自動保護;DS1225AB與2764　EPROM、6264　SRAM或2864　EEPROM引腳兼容;寫周期次數不受限制;數據保持超過10年讀訪問時間可以是100ns、120ns、150ns、170ns或200ns;讀周期與寫周期時間相等;鋰電池在電氣上不接通以保持容量完整;直到第一次供電時才接通;DS1225AB在VCC大于4.75V時提供全部功能而在4.5V時進入寫保護,DS1225AD在VCC大于4.5V時提供全部功能而在4.25V時進入寫保護。該芯片可直接代換MK48/08。
DS1230AB/Y　32 k×8位CMOS非易失性靜態RAM
有一個用于自動保護其內容的鋰電池,以及一個斷地監視VCC是否超出容限的控制電路;VCC不接時仍能保護數據;掉電時數據能自動保護;DS1230AB與62256SROM或28256　 EEPROM引腳完全兼容;寫周期次數不受限制;數據保持超過10年讀; 訪問時間可以是70 ns、85 ns、100ns、120ns、150ns或200ns;讀周期與寫周期時間相等;鋰電池在電氣上不接通以保持容量完整;直到第一次供電時才接通;DS1230AB在VCC大于4.75V時提供全部功能而在4.5V時進入寫保護,DS1230Y在VCC大于4.5V時提供全部功能而在4.25V時進入寫保護。該芯片可直接代換MK48Z32。
DS1230 Y / AB　NV SRAM
工作電壓5.0V;容量256K;數據保持超過10年;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器;讀、寫時間70ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1245WB NV SRAM
工作電壓3.3V;容量1024K;數據保存時間10年以上;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器;讀取、寫入時間150ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1248Y 帶虛擬時鐘的NV SRAM
工作電壓5.0V;容量1024K;實時跟蹤、記錄秒、分、時、日、月、年、星期;可代替SRAM或EEPROM自動確定每月天數;有效期至2100年;精度小于±1分/月;數據保存10年以上;存取時間為120ns、150ns、200ns三種。
DS1249Y/AB NV SRAM
工作電壓5.0V;容量2048K;數據保存10年以上;讀出、寫入時間70ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1250W NV SRAM
工作電壓3.3V;容量4096K;數據保存10年以上;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器;讀、寫時間150ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1250 Y/AB NV SRAM
工作電壓5.0V;容量4096K;數據保存10年以上;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器;低功耗CMOS電路;讀出、寫入時間70ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1251Y 帶虛擬時鐘的NV SRAM
工作電壓5.0V;容量4096K;實時跟蹤、記錄秒、分、時、日、月、年、星期;精度小于±1分/月;數據保存10年以上;存取時間為120ns、150ns二種;有AM/PM之分。
DS1258W NV SRAM
入選擇;讀寫時間150ns。
工作電壓5.0V;容量128K×16;數據保存10年以上;讀寫時間70ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1265Y/AB NV SRAM
工作電壓5.0V;容量8M;數據保存10年以上;讀寫時間70ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1270Y/AB NV SRAM
工作電壓5.0V;容量16M;數據保存5年以上;讀寫時間70ns;工作溫度范圍-40~85℃。
DS1345W/AB 帶電池監視器的NV SRAM
工作電壓3.3V;容量1024K;數據保存10年以上;讀寫時間150ns;靜態電流50μA;VCC過低時自動保護數據;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器。
DS1345Y/AB 帶電池監視器的NV SRAM
工作電壓5.0V;容量1024K;數據保存10年以上;讀寫時間70ns;靜態電流50μA;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器;監視VCC,當VCC超出誤差范圍時,自動進入寫保護。
DS1350W 帶電池監視器的NV SRAM
工作電壓3.3V;容量4096K;數據保存10年以上;讀寫時間150ns;靜態電流50μA;VCC過低時自動保護數據;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器。
DS1350Y/AB 帶電池監視器的NV SRAM
工作電壓5.0V;容量4096K;數據保存10年以上;讀寫時間70ns;靜態電流50μA; VCC過低時自動保護數據;可代替相應的SRAM、EEPROM或閃速存儲器。 
DS1553P/DS1553WP　計時RAM
工作電壓5.0V/3.3V;精密地加電單位功能;存儲數據可保留10以上;可編程看門狗計時器及RTC報警;BCD碼形式的世紀、年、月、日、星期、時、分、秒數據;電池電壓指示;電源故障寫保護;容量64K。
DS1614/1647P 非易失計時RAM
工作電壓5.0V;數據保存10年以上;存儲時間120ns和150ns; BCD碼的年、月、日、星期、時、分、秒。
DS1642 非易失計時RAM
工作電壓5.0V;數據保存10年以上;存儲時間120ns和150ns; 石英晶體精度±1分/月;BCD碼的年、月、日、星期、時、分、秒。
DS1643/1643P 非易失計時RAM
工作電壓5.0V;數據保存10年以上;存儲時間120ns和150ns; BCD碼的年、月、日、星期、時、分、秒。
DS2404　帶時鐘的存儲器
工作電壓范圍2.8~5.5V;工作溫度范圍-40~85℃;4096位雙口存儲器含實時時鐘/日歷、可編程間隔計時器和加電周期計時器;有單線接口,速率16.3Kbps;三線主接口,速率2MHz;有唯一64位注冊號;存儲器分16頁,每頁256位;帶有嚴密性,有可編程報警、時鐘等功能。
DS2404S-C01　帶時鐘的雙口存儲器
工作電壓范圍2.8~5.5V;工作溫度范圍-40~85℃;4096位非易失雙口存儲器,內含二進制形式的時鐘/日歷,可編程間隔計時器和加電周期計時器;有同MicroLAN單線接口,通信速率16.3Kbps;三線主接口,速率2MHz;有唯一64位注冊號(8位系列碼、48位串行號、8位CRC校驗);存儲器分16頁,每頁256位;帶有嚴密性讀/寫協議的256位便箋,確保數據傳輸完整性。有可編程報警、時鐘等功能。
DS2422/DS2423　帶計數器的單總線RAM
工作電壓范圍2.8~5.5V;工作溫度范圍-40~85℃;DS2422為4096位SRAM; DS2423為1024位兩者分別包含三個、四個32位只讀計數器;分為4頁×256位便箋,16位CRC發生器,直接連微處理器單線接口,速率16.3Kbps。
DS2430A　單總線EEPROM
工作電壓范圍2.8~6.0V;工作溫度范圍-40~85℃;有唯一64位注冊號;共256位,僅一頁、32個字節,可隨機訪問;控制、地址、數據和電源共用一個data引腳;可直接連微處理器單口通信引腳,速率16.3Kbps。
DS2433　　單總線EEPROM
工作電壓范圍2.8~6.0V;工作溫度范圍-40~85℃;容量4096位,分16頁,每頁256位;控制、地址、數據和電源共用一個data引腳;可直接連微處理器單口通信引腳,速率16.3Kbps,內含多點控制器,同其他MicroLAN產品兼容。
DS2502 　只加存儲器(EPROM)
讀出電壓范圍2.8~6.0V;編程電壓范圍11.5~12V;工作溫度范圍-40~85℃;1K EPROM;有唯一64位注冊號;內含多點控制器,同其他MicroLAN產品兼容;存儲劃分為4頁,每頁256位;可帶寫保護;控制、數據、功率和編程信號共用一個data引腳;可直接連微處理器單口通信引腳,速率16.3Kbps,8位系列碼確定器件的通信需求。
DS2505 　只加存儲器(EPROM)
工作電壓范圍2.8~6.0V;編程電壓12V;工作溫度范圍-40~85℃;16K EPROM;有唯一64位注冊號;存儲劃分為64頁,每頁256位;內含多點控制器,同其他MicroLAN產品兼容;“只加”操作不影響已存數據;控制、數據、功率和編程信號共用一個data引腳;可直接連微處理器單口通信引腳,速率16.3Kbps。
DS2506 　只加存儲器(EPROM)
工作電壓范圍2.8~6.0V;編程電壓12V;工作溫度范圍-40~85℃;64K EPROM;有唯一64位注冊號;存儲劃分為256頁,每頁256位;可帶寫保護;可隨機訪問;控制、數據、功率和編程信號共用一個data引腳;可直接連微處理器單口通信引腳,速率16.3Kbps,8位系列碼確定器件的通信需求。
HM51258P　256K×1位CMOS動態RAM
256刷新周期/4ms(僅/RAS),可隱刷新,/CAS前/RAS刷新;邊緣觸發記錄;VCC=+5V。類似型號:HM51256P、MB81C258、V51C256C。
KM416C1000A/1200A、KM416V1000A/1200A動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量1M×16位;快速頁面方式;刷新周期64ms/16ms;輸入輸出同TTL(5V)、LVTTL(3.3V)兼容。
KM416C1004A/1024、KM416V1004A/1024A
工作電壓3.3V或5.0V;容量1M×16位;擴充數據輸出模式;字節/字讀/寫操作;輸入、輸出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)兼容;刷新周期64ms/16ms。
KM416C254B/V254B 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量256K×16位;擴充數據輸出模式;可位操作;輸入、輸出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)兼容;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM416C256B/416V256B 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量256K×16位;快速頁面方式;可位操作;輸入、輸出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM418C256B 動態RAM
工作電壓5.0V;容量256K×16位;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL(5V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM41C1000D動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期8ms;工作電流小60μA。
KM41C1600A/V1600A 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量16M;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/128ms(L)/256(SL)。
KM41C4000A/V4000A 
工作電壓3.3V或5.0V;容量4M;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期16ms/128ms(L)。
KM41C4002C 動態RAM
工作電壓5.0V;容量4M;靜列模式;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期16ms。
KM41C16002C 動態RAM
工作電壓5.0V;容量16M;靜列模式;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期64ms。
KM432V502/522 動態RAM
工作電壓3.3V;容量512K×32位;快速頁面模式;輸入、輸出同LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/16ms。
KM432V504/524 動態RAM
工作電壓3.3V±0.3V;容量512K×32位;擴展數據輸出的快速頁面模式;字體/字讀寫操作;輸入、輸出同LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/16ms。
KM44C1000C/V1000C 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量1M×4位;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期16ms/128ms(L)。
KM44C1002C 動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M×4位;靜列模式;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期16ms。
KM44C1003C 四CAS動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M×4位;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期16ms。
KM44C1004C/V1004C 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量1M×4位;擴展數據輸出;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期16ms/128ms(L)。
KM44C1010C 動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M×4位;快速頁面模式;可位操作;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期16ms。
KM44C256D 動態RAM
工作電壓5.0V;容量256K×4位;輸入、輸出同TTL電平兼容;快速頁面模式;刷新周期8ms/128ms(L)。
KM44C4000A/4100A、KM44V4000A/4100A 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量4M×4位;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/32ms。
KM44C4002A/4102A 動態RAM
工作電壓5.0V;容量4M×4位;靜列模式;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44C4003A/4103A 四CAS
工作電壓5.0V;容量4M×4位;快速頁面模式;四個獨立/CAS引腳可作單獨的I/O操作;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44C4004A/4104A、KM44V4004A/4104A 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量4M×4位;擴展數據輸出;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44C4010A/4110A 動態RAM
工作電壓5.0V;容量4M×4位;快速頁面模式;寫位操作;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM44V16000/16100 動態RAM
工作電壓3.3V±0.3V;容量16M×4位;快速頁面模式;輸入、輸出同LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期128ms/64 ms。
KM44V16000A/16100A 動態RAM
工作電壓3.3V;容量16M×4位;快速頁面模式;輸入、輸出同CMOS 、LVTTL電平兼容;隨機讀或寫周期90/110/130ns;刷新周期64ms。
KM48C2000A/2100A、KM48V2000A/2100A 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量2M×8位;快速頁面模式;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM48C2004A/2104A、KM48V2004A/2104A 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量2M×8位;擴展數據輸出;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期64ms/32 ms。
KM48C512B/V512B 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量512K×8位;快速頁面模式;可位操作;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期16ms/128 ms(L)。
KM48C514B/V514B 動態RAM
工作電壓3.3V或5.0V;容量512K×8位;擴展數據輸出;可位操作;輸入、輸出同TTL(5.0V) 、LVTTL(3.3V)電平兼容;刷新周期16ms/128 ms(L)。
KM48V8000/V8100 動態RAM
工作電壓3.3V;容量8M×8位;快速頁面模式;輸入、輸出同LVTTL電平兼容;刷新周期128ms/64 ms。
KM48V8000A/V8100A 動態RAM
工作電壓3.3V;容量8M×8位;快速頁面模式;輸入、輸出同LVTTL、CMOS電平兼容;刷新周期64 ms;工作電流110/150mA。
M9346　64×16位串口EEPROM
串口存取的電擦除可編程只讀存貯器;具有在線改寫數據和自動擦除功能;輸入輸出口與TTL兼容;片內有編程電壓發生器,可以產生擦除和寫入操作時所需的電壓;片內有控制和定時發生器,擦除和寫操作均由此定時電路自動控制;具有整體編程使能和截止功能以增強數據的保護能力;單+5V電源;處于等待狀態時,電流1.5~3mA;有8腳雙列直插塑封和14腳扁平式塑封;按照規定的指令格式進行操作�！�
M9346指令表
MCM2814　256×8位串口EEPROM
電擦除可編程只讀存貯器;采用HCMOS工藝,工作電流小于1mA,備用狀態電流1μA;具串行接口;可字節編程,最多可同時編程4個字節;片內有編程電壓發生器,不需外接編程電壓;支持兩種串行接口,雙線串行接口/M-BUS(與I2C兼容)和四線串行接口/SPI接口;具有保護1/4、1/2或3/4的EEPROM不被任意寫入的功能;電源電壓讀出時3~6V,編程時4.5~6V;復位后芯片進入數據保護狀態;寫入/擦除次數大于10＾4次;數據保存時間大于10年。
MCM6256　256K×1位NMOS動態RAM
I/O端分開,三態輸出;輸入輸出與TTL兼容;256刷新地址;與4164引腳具有互換性;高速字節方式存取;單+5V電源。類似型號:HM50256/50257、AM90C255/90C256、KM41256/41257、M5M4256/257、MB81257、MN41256、MSM37256、MSM41256、TMM41256、μPD41256V、μPD41257C。
MK48Z02/12　2K×8位非易失性靜態RAM
非易失性靜態RAM,帶有一個組裝在一起的鋰電池,電池壽命至少11年(70℃);電源掉電仍能保持數據;掉電時由自動寫保護提供數據保護;引腳與2716 EPROM或6116 SRAM完全兼容;讀寫只須+5V電源;常規的SRAM寫周期;功耗440mW,待命時5.5 mW;讀訪問時間可以是120ns、150ns、200ns或250ns,讀周期時間相等;電池不足報警;有兩種掉電重選的工作點,MK48Z02為4.75V>=VPFD>=4.50V, MK48Z12為4.50V>=VPFD>=4.20V。該芯片可直接代換DS1220。
功能表
MSM271000
工作電壓5.0V;容量128K×8位;存取時間為120/150/200ns輸入、輸出同TTL電平兼容;編程電壓12V;紫外線擦除,電可編程。
MSM271024　UV EPROM
工作電壓5.0V;容量64K×16位;存取時間為120/150/200ns輸入、輸出同TTL電平兼容;紫外線擦除; 三態輸出。
MSM27C401　UV EPROM
工作電壓5.0V;容量512K×8位;存取時間為120/150ns輸入、輸出同TTL電平兼容; 三態輸出; 功耗小于330mW。
MSM28F101 閃速存儲器
工作電壓5.0V;編程電壓12V;容量1M;快速訪問時間120/150/200ns;CMOS電平時的動作電流30mA,備用時電流100μA;TTL電平,備用時電流1mA;輸入、輸出同TTL電平兼容;數據保存時間10年以上。
MSM414256 256K×4位NMOS動態RAM 
三態輸出;輸入、輸出同TTL電平兼容;512刷新周期8ms(僅/RAS);改寫/CS前/RAS刷新;VCC=+5V。
MSM41464 64K×4位NMOS動態RAM 
I/O端公共;輸入、輸出同TTL電平兼容;頁面模式;行存取時間最大為150ns;周期時間最小為200ns。VCC=+5V。類似型號:HM5046P/CP、HM50465、M5M4464P、MB81464、MN41464、MT4064、TMM41464P、V51C259HL、MPD41464。
MSM511001A　動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期小于 8ms;內置VBB生成電路。
MSM511002A　動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M;輸入、輸出同TTL電平兼容;刷新周期小于 8ms;內置VBB生成電路。訪問時間70/80/100ns。
MSM514101A/AL　動態RAM
工作電壓5.0V;容量4M;輸入、輸出同TTL電平兼容;多位試驗模式;內置VBB生成電路;存取時間可為70/80/100ns; 刷新周期小于 8ms。
MSM514201　串口寄存器
工作電壓范圍3.5~5.5V;容量1M;串行訪問時間1.5μs(3.0μs);串行讀寫周期時間20μs(4.0μs);自動刷新/自動刷新可選。引腳定義如下:/TEST:測試輸入;/SAS:串行地址選通;SAD:中行地址數據;/TAS:傳輸地址選通;/RS//A:自動刷新/自刷新選擇;/RFSH:刷新時鐘輸入;/FAM:愉速訪問模式選擇;/RWCK:讀寫時鐘;AU/D:地址增/減選擇。
MSM514221A　串口寄存器
工作電壓5.0V;容量1M;FIFO模式;用于數字電視等領域;512行×512列×4位;高速串行存取;存取時間25ns。引腳定義:SWCK:串行寫入時鐘;SRCK:串行讀取時鐘;RSTW:復位寫入;RSTR:復位讀出;Kin0~3:數據輸入;Dout0~3:數據輸出。
MSM514266B　動態RAM
工作電壓5.0V;容量256K×4位;輸入、輸出同TTL電平兼容;訪問時間60/70/80/100ns,每位皆可單寫;刷新周期8ms。
MSM514410A/AL　動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M×4位;輸入、輸出同TTL電平兼容;內置VBB生成電路;存取時間可為70/80/100ns;刷新周期16ms。
MSM514412A/AL　動態RAM
工作電壓5.0V;容量1M×4位;輸入、輸出同TTL電平兼容;內置VBB生成電路;存取時間可為70/80/100ns;刷新周期16ms;多位檢測模式。
MSM51C262　多口存儲器
工作電壓5.0V;容量64K×4位;CMOS動態RAM;電源電流85mA;備用時電流6mA;快速頁面訪問方式;雙向數據傳送;屏蔽位寫入功能。256個刷新周期為4秒;I/O同TTL電平兼容。
MSM521001LL　靜態RAM
工作電壓5.0V;容量128K×8位;輸入、輸出同TTL電平兼容;存取時間可為70/80/100ns;三態輸出;備用時電流100μA。
MSM548128 　高速PSRAM
工作電壓5.0V;容量1M;快速訪問時間小于80ns;備用時電流小于200μA;CMOS隨機靜態RAM。
MSM548512　高速PSRAM
工作電壓5.0V;容量4M;快速訪問時間小于80ns;CMOS工藝的隨機靜態RAM。
TC511000C　1M×1位CMOS動態RAM
輸入、輸出同TTL電平兼容;512刷新周期/8ms(僅/RAS)可隱刷新/CAS前/RAS刷新;VCC=+5V。類似型號:HM511000、HM511001、HM511002、TC511000、TC511001、TC511002。
TC511001C　1M×1位CMOS動態RAM
輸入、輸出同TTL電平兼容;靜態列方式;VCC=+5V。
TC514258P　256K×4位CMOS動態RAM
三態輸出;所有輸入輸出同TTL電平兼容;512刷新周期/8ms(僅/RAS); 改寫/CS前/RAS刷新;VCC=+5V。類似型號:M5M44C256P、M5M44C258P、TC514256P/J、TC514258P/J。
TMM41100C　1M×1位NMOS動態RAM
輸入輸出同TTL電平兼容;512刷新周期/8ms(僅/RAS)可隱刷新/CAS前/RAS刷新;VCC=+5V。類似型號:MB811000、MN411000/411001、MSM411000/411001、TMM411001C。
TMS2532　4K×8位EPROM
三態輸出;數據可紫外線擦除;除18引腳外,與2708、2716型引腳兼容;單+5V電源;當/CS為“L”時,讀輸出選擇有效。類似型號:HN462532、TMS25L32、NMC2532、MCM2532、MCM25L32、MSM2532。
W24010/LL　靜態RAM 
工作電壓5.0V;容量128K×8位;存取時間小于70ns;輸入/輸出同TTL電平兼容;三態輸出;數據保存最低電壓2.0V。
W24011A　靜態RAM
工作電壓5.0V;容量128K×8位;存取時間12/15/20ns; 功耗小于1W;三態輸出;輸入、輸出同TTL電平兼容。
W24024A　靜態RAM
工作電壓5.0V;容量128K×8位;存取時間12/15/20ns; 功耗小于600mW;三態輸出;輸入、輸出同TTL電平兼容。工作電流小于200mA。
W24L0101A　高速靜態RAM
工作電壓3.3V;靜態電流小于5mA;功耗300mW;存取時間15ns;輸入輸出同TTL電平兼容;三態輸出;電源電流小于150mA。
W24L011A　高速靜態RAM
工作電壓3.3V;功耗小于0.45W;存取時間10ns;輸入輸出同TTL電平兼容;三態輸出。
W25P240A　突發式管線型靜態RAM
工作電壓3.3V;同步運行;支持66/75MHz的總線速度;字節可寫;可異步輸出;I/O同LVTTL電平兼容;支持Intel公司的突發式模式。主要引腳定義為:/GW:全寫;/BWE:字節寫入允許;/ADV:內部突發地址計數器預置值;/ADSC:來自芯片組的地址狀態;/ADSP:來自CPU的地址狀態。
引腳功能表
W25S022A　突發式靜態RAM
工作電壓3.3V;容量64K×32位;存取時間小于12ns;可異步輸出;可寫字節;同步運行;支持2T/2T及2T/1T兩種方式;主要引腳定義如下:/GW:全寫入;/BWE:字節寫入允許;/ADSP:來自CPU的地址狀態;/ADSC:來自芯片組的地址狀態;MS:模式選擇;/LSD:低位地址突發序列;/ADV:內部突發地址計數器預置值。
引腳功能
W27E010　電可擦除EPROM
工作電壓5.0V;容量128K×8位;擦除電壓14V;編程電壓12V;存取時間45/55/70/90ns;讀寫電流30mA;靜態電流5μA;三態輸出;輸入、輸出同TTL/CMOS電平兼容。
W27E040　電可擦除EPROM
工作電壓5.0V;擦除電壓14V;編程電壓12V;存取時間90/120ns;讀寫電流15mA;靜態電流5μA;三態輸出;輸入、輸出同TTL/CMOS電平兼容;容量512K×8位。
W27E400　電可擦除EPROM
工作電壓5.0V;擦除電壓14V;容量4M位;編程電壓12V;存取時間90/120ns;讀寫電流15mA;靜態電流5μA;輸入、輸出同TTL/CMOS電平兼容; 三態輸出;主要引腳定義如下:Q15/CMOS電平兼容;三態輸出;主要引腳定義如下;Q15/AB;字模式/字節模式;/BYTE:字節/字并關。
W27E4096　電可擦除EPROM
工作電壓5.0V;擦除電壓14V;編程電壓12V;容量256K×16位; 存取時間90/120ns;讀寫電流15mA;靜態電流5μA;輸入、輸出同TTL/CMOS電平兼容; 三態輸出。
W29C010　閃速存儲器
工作電壓5.0V;電流25mA;靜態電流20μA;容量128K×8位;頁面編程周期小于10ms;每頁128字節;讀取時間70/90/120ns;數據保存10年以上;輸入輸出同TTL電平兼容。
W29C020　閃速存儲器
工作電壓5.0V;頁面寫入周期小于10ms;每頁128字節;讀取時間70/90/120ns;數據保存10年以上;輸入輸出同TTL電平兼容;工作電流25mA;靜態電流20μA;容量256K×8位;字節寫入時間39μs。
W29C040　閃速存儲器
工作電壓5.0V;驅動電流25mA;靜態電流20μA;頁面寫周期19.5μs;每頁256字節;讀取時間90/120/150ns;數據保存10年以上;容量512K×8位。
W29C101　閃速存儲器　
工作電壓5.0V;驅動電流25mA;靜態電流20μA;頁面編程周期小于10ms;每頁128字節;容量64K×16位;讀取時間70/90/120ns;數據保存10年以上;輸入輸出同TTL電平兼容。
W29C102　閃速存儲器　
工作電壓5.0V;驅動電流25mA;靜態電流20μA;容量64K×16位;頁面編程周期小于10ms;每頁128字節;讀取時間70/90/120ns;數據保存10年以上。
W29EE011　閃速存儲器　
工作電壓5.0V;驅動電流50mA;編程電壓5.0V;容量128K×8位;讀取時間90/12/150ns;頁面編程周期小于10ms;每頁128字節;數據保存10年以上;輸入輸出同TTL電平兼容。
μPD27C1024D 64K×4位CMOS EPROM
輸入輸出同TTL電平兼容;數據三態輸出;16位數據線(最適用于16位CPU);VDD=+15V;數據可紫外線擦除;當/CE和/OE同時為“L”且/PGM為“H”時,讀輸出選擇有效。