7．　　CMOS-晶體三極管VT的接口

圖7a是CMOS集成電路驅動晶體三極管的接口。晶體三極管VT采用共發射極形式連接R1是VT的負載電阻,R1是VT的基極偏流電阻,R1的大小由公式R1=(VOH-VBH)β/IL決定。式中IL為負載電流。使用時應先根據VL和IL來選定VC,然后估算IB(IB=IL/β)是否在CMOS集成電路的驅動能力之內。如超出,可換用β值更高的晶體三極管或達林頓管,如圖7b所示。晶體三極管VT按IL選定,IB=IL/(β1*β2),電阻R1的取值為:R1=(VOH -1.4)/(IB + 1.4/R2),式中R2是為改善電路的開關特性而引入的,其值一般取為4〜10KΩ。



8．　　CMOS-發光二極管LED的接口

發光二極管(LED)具有高可靠性、低功耗、長壽命等多項重要特性。是與CMOS集成電路配合使用的最佳終端顯示器件之一。發光效率較高的LED可由CMOS集成電路直接驅動,特別當VDD=10~18V時,絕大多數的LED能夠有足夠的亮度。應當說明,用CMOS集成電路驅動LED應串入限流電阻,因為當VDD=10V時,其輸出短路電流可達20mA左右,若不加適當的限流保護,極易導致LED或CMOS集成電路損壞。圖8a是CMOS集成電路輸出低電平點亮LED的電路,電阻R可通過公式:R=(VDD-VOL-VLED)/ILED求出。圖8b是CMOS集成電路輸出高電平點亮LED的電路,電阻R的數值通過公式:R=(VOH-VLED)/ILED求出。式中VLED和分別是LED的工作電壓和工作電流。



如果在低電源電壓下工作的CMOS集成電路要驅動LED,或者使用負載能力較差的COOO系列CMOS集成電路驅動LED,均可能難以使LED發出足夠明亮的光。解決辦法是加一級晶體管驅動電路,以獲得足夠的驅動能力�！�

9．　　CMOS-可控硅VS的接口

一般中、小功率可控硅的觸發電流約在10mA以下,故多數CMOS集成電路能夠直接驅動可控硅。具體電路如圖9所示。若需要更大的驅動電流,可改為CMOS緩沖器(例如CC4041)或緩沖/驅動器(例如CC40107),也可加一級晶體三極管電路。